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初始磁導(dǎo)率

μi

25℃ 10KHz <0.25mT

1000±25%

2000±25%

3000±25%

4000±25%

飽和磁通密度

Bs

mT

25℃ 1KHz 1194A/m

425

410

390

290

100℃ 1KHz 1194A/m

335

290

270

120

Br

mT

25℃ 1KHz 1194A/m

360

235

245

175

100℃ 1KHz 1194A/m

255

145

170

60

Hc

A/m

25℃ 1KHz 1194A/m

34

12

10

8

100℃ 1KHz 1194A/m

14

7

6

2

比損耗因數(shù)

tanδ/μi

x10-6

10KHz

<6

<4

<6

<7

標(biāo)稱(chēng)阻抗

ZN

Ω/cm

1MHz

90

150

150

190

25MHz

450

850

880

630

100MHz

1100

1600

1510

1130

居里溫度

Tc

℃

10KHz <0.25mT

≥190

≥145

≥130

≥100

密度

d

g/cm3

25℃

4.9±0.1

4.9±0.1

4.9±0.1

4.9±0.1